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元件参数资料
>
参数目录40585
> UM6J1NTN MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
型号:
UM6J1NTN
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
UM6J1NTN PDF
产品目录绘图
UM6K Series SOT-363
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
30pF @ 10V
功率 - 最大
150mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
UMT6
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1639 (CN2011-ZH PDF)
工具箱
846-1002-KIT-ND - KIT MOSFET 5EA OF 14 VALUES
其它名称
UM6J1NTNCT
查看UM6J1NTN代理商
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